| 加工定制：否 | 种类：化合物半导体 | 用途：用于微流控芯片光刻工艺模具、工艺等同步辐射样品载体、LPCVD/PECVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样 |
产品介绍
大小1英寸到4英寸不等，厚度0.2mm、0.4mm、1mm、1.2mm等不同厚度，单面抛光。
参数类型 | Si技术指标 |
产品尺寸 | 1-4英寸 |
生长方法 | 直拉单晶（Cz） |
表面抛光 | 单面抛光 |
直径公差 | 100.2±0.3mm |
掺杂类型 | 掺杂剂（磷或硼） |
晶体取向 | 100 111 |
电阻率Ω | ＜0.0015 Ω.cm 0.001-0.5Ω.cm 1-10Ω.cm |
平整度TIR | ＜3um |
翘曲度TTV | ＜10um |
弯曲度BOW | ＜10um |
抛光粗糙度Ra | ＜0.5nm |
颗粒度Pewaferr | ＜（for size＞0.3um） |
厚度um | 请咨询 |
用途 | 用于微流控芯片光刻工艺模具、工艺等同步辐射样品载体、LPCVD/PECVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、AFM、红外光谱 荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体等诸多科研用途。 |
